11月6日，英飞凌在第三届我国国际进口饱览会上宣告，将新增在华出资，扩展其无锡工厂的IGBT模块出产线。无锡工厂扩产后，将成为英飞凌最大的IGBT出产基地之一。英飞凌将以更丰厚的IGBT产品线，满意敏捷添加的可再次出产的动力、新动力轿车等范畴的运用需求。

　　进博会现场，英飞凌工作人员介绍道：“功率半导体首要运用在于电力设备的电能改换和电路操控，比如说强电转为弱电，弱电转为强电。这是由于强电功率更大但不安全，因此在实际运用的时分才转化为弱电。反之，太阳能电池板发电后，电力需要向电网运送，就一定要经过逆变器将弱电转换为强电。”据其介绍，国内两大逆变器厂商阳光电源、华为均很多运用英飞凌的功率半导体。

　　MOS管（即MOSFET），和IGBT管是现在干流的两种功率半导体。关于两者的差异，上述工作人员弥补道：“IGBT首要操控大功率（电力设备），MOS管用于操控低功率（电力设备）。”

　　英飞凌科技首席运营官Jochen Hanebeck表明：“我国在英飞凌的全球事务中占有重要的战略地位。无锡工厂的晋级扩能，不仅能逐渐提高咱们在我国的产能，并且还将协助英飞凌稳固其在全球IGBT事务开展中的领导地位。”